Infineon Technologies IPW65R190CFD

Artikelnummer: IPW65R190CFD
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247
Bleifreier Status / RoHS-Status: Lead free / RoHS Compliant
Familie: Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln

Infineon Technologies

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Produktparameter

Artikelnummer	IPW65R190CFD
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	17.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 730µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	68nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1850pF @ 100V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	151W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 7.3A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	PG-TO247-3
Paket / Fall	TO-247-3