Infineon Technologies IPW65R190CFD

Numero de parte: IPW65R190CFD
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Simple

Infineon Technologies

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Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)
1 pcs
1.76500/pcs
10 pcs
1.66300/pcs
100 pcs
1.36370/pcs
500 pcs
1.10427/pcs
1,000 pcs
0.93132/pcs

Total:1.76500/pcs

Unit Price:

1.76500/pcs

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Cantidad:

Parámetro del producto

Numero de parte	IPW65R190CFD
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	17.5A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 730µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	68nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1850pF @ 100V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	151W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 7.3A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO247-3
Paquete / caja	TO-247-3