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| 部品番号 | IPW65R190CFD |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 650V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 17.5A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4.5V @ 730µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 68nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1850pF @ 100V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 151W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 190 mOhm @ 7.3A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO247-3 |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
メーカー: Infineon Technologies
説明: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
在庫あり: 381
メーカー: Infineon Technologies
説明: MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3
在庫あり: 525
メーカー: Infineon Technologies
説明: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO 247-3
在庫あり: 1135
メーカー: Infineon Technologies
説明: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
在庫あり: 466
メーカー: Infineon Technologies
説明: MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
在庫あり: 0
