Infineon Technologies IRF630NPBF

Artikelnummer: IRF630NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status: Lead free / RoHS Compliant
Familie: Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln

Infineon Technologies

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Produktparameter

Artikelnummer	IRF630NPBF
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	9.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	35nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	575pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	82W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 5.4A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-220AB
Paket / Fall	TO-220-3