ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル IRF630NPBF

Infineon Technologies IRF630NPBF

部品番号
IRF630NPBF
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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  • 1,000 pcs

    0.21780/pcs
合計:0.48000/pcs Unit Price:
0.48000/pcs
目標価格:
量:
製品パラメータ
部品番号 IRF630NPBF
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 200V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 9.3A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 35nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 575pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 82W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 300 mOhm @ 5.4A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3
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