Infineon Technologies IRF630NPBF

Numero de parte: IRF630NPBF
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Simple

Infineon Technologies

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Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)
1 pcs
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10 pcs
0.45000/pcs
100 pcs
0.35575/pcs
500 pcs
0.27588/pcs
1,000 pcs
0.21780/pcs

Total:0.48000/pcs

Unit Price:

0.48000/pcs

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Cantidad:

Parámetro del producto

Numero de parte	IRF630NPBF
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	9.3A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	35nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	575pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	82W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 5.4A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-220AB
Paquete / caja	TO-220-3