provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Artikelnummer | APT50GP60JDQ2 |
|---|---|
| Teilstatus | Not For New Designs |
| IGBT-Typ | PT |
| Aufbau | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 600V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 100A |
| Leistung max | 329W |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 50A |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 525µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 5.7nF @ 25V |
| Eingang | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SOT-227-4, miniBLOC |
| Lieferantengerätepaket | ISOTOP® |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
Auf Lager: 32
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227
Auf Lager: 63
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 41A SOT227
Auf Lager: 23
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 44A SOT227
Auf Lager: 49
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 44A SOT227
Auf Lager: 2
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 46A TO-264
Auf Lager: 83
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 46A TO-264
Auf Lager: 69
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V T-MAX
Auf Lager: 0
