Numéro d'article | APT50GP60JDQ2 |
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État de la pièce | Not For New Designs |
Type d'IGBT | PT |
Configuration | Single |
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 600V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100A |
Puissance - Max | 329W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 50A |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | 525µA |
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce | 5.7nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / cas | SOT-227-4, miniBLOC |
Package de périphérique fournisseur | ISOTOP® |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
En stock: 32
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227
En stock: 63
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 500V 41A SOT227
En stock: 23
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 500V 44A SOT227
En stock: 49
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 500V 44A SOT227
En stock: 2
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 500V 46A TO-264
En stock: 83
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 500V 46A TO-264
En stock: 69
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 500V T-MAX
En stock: 0