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| Numero de parte | APT50GP60JDQ2 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Not For New Designs |
| Tipo de IGBT | PT |
| Configuración | Single |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 600V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100A |
| Potencia - Max | 329W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 50A |
| Corriente - corte de colector (máximo) | 525µA |
| Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 5.7nF @ 25V |
| Entrada | Standard |
| Termistor NTC | No |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / caja | SOT-227-4, miniBLOC |
| Paquete de dispositivo del proveedor | ISOTOP® |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
En stock: 32
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227
En stock: 63
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 500V 41A SOT227
En stock: 23
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 500V 44A SOT227
En stock: 49
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 500V 44A SOT227
En stock: 2
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 500V 46A TO-264
En stock: 83
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 500V 46A TO-264
En stock: 69
