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| Artikelnummer | 2SK221100L |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 1A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 87pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 500mA, 10V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | MiniP3-F1 |
| Paket / Fall | TO-243AA |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 100MA USM
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 0.1A SSM
Auf Lager: 0
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH S-MINI FET
Auf Lager: 3000
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH S-MINI FET
Auf Lager: 0
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 50V S-MINI
Auf Lager: 3000
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 50V S-MINI
Auf Lager: 3000
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: JFET N-CH SOT23
Auf Lager: 3000
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: JFET N-CH SOT23
Auf Lager: 21000
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: JFET N-CH SOT23
Auf Lager: 3000
