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| Numero de parte | 2SK221100L |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 87pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 500mA, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | MiniP3-F1 |
| Paquete / caja | TO-243AA |
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI
En stock: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 20V 100MA USM
En stock: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 20V 0.1A SSM
En stock: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH S-MINI FET
En stock: 3000
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH S-MINI FET
En stock: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 50V S-MINI
En stock: 3000
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 50V S-MINI
En stock: 3000
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: JFET N-CH SOT23
En stock: 3000
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: JFET N-CH SOT23
En stock: 21000
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: JFET N-CH SOT23
En stock: 3000
