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| Numero di parte | 2SK221100L |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 87pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 500mA, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | MiniP3-F1 |
| Pacchetto / caso | TO-243AA |
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET N-CH 20V 100MA USM
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET N-CH 20V 0.1A SSM
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET N-CH S-MINI FET
Disponibile: 3000
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET N-CH S-MINI FET
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET N-CH 50V S-MINI
Disponibile: 3000
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET N-CH 50V S-MINI
Disponibile: 3000
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: JFET N-CH SOT23
Disponibile: 3000
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: JFET N-CH SOT23
Disponibile: 21000
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: JFET N-CH SOT23
Disponibile: 3000
