Numero de parte | SCT3030ALGC11 |
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Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | N-Channel |
Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 70A (Tc) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 18V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.6V @ 13.3mA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 104nC @ 18V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1526pF @ 500V |
Vgs (Max) | +22V, -4V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (Máx) | 262W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39 mOhm @ 27A, 18V |
Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247N |
Paquete / caja | TO-247-3 |
Fabricante: Panduit Corp
Descripción: CONN T-SPLICE TAP 300 MCM CRIMP
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Fabricante: Rohm Semiconductor
Descripción: MOSFET NCH 650V 93A TO247N
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Fabricante: Rohm Semiconductor
Descripción: MOSFET NCH 650V 70A TO247N
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Fabricante: Rohm Semiconductor
Descripción: MOSFET NCH 1.2KV 72A TO247N
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Fabricante: Rohm Semiconductor
Descripción: MOSFET NCH 1.2KV 55A TO247N
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Fabricante: Rohm Semiconductor
Descripción: MOSFET N-CH 650V 30A TO247
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Fabricante: Rohm Semiconductor
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