Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli SCT3030ALGC11

Rohm Semiconductor SCT3030ALGC11

Numero di parte
SCT3030ALGC11
fabbricante
Rohm Semiconductor
Descrizione
MOSFET NCH 650V 70A TO247N
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
ROHM Semiconductor

ROHM Semiconductor

rohm was established in kyoto, japan, in 1958. rohm designs and manufactures semiconductors, integrated circuits and other electronic components. these components find a home in the dynamic and ever-growing wireless, computer, automotive and consumer electronics markets.

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12.36000/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte SCT3030ALGC11
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 70A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 18V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.6V @ 13.3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 104nC @ 18V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1526pF @ 500V
Vgs (massimo) +22V, -4V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 262W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39 mOhm @ 27A, 18V
temperatura di esercizio 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247N
Pacchetto / caso TO-247-3
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