부품 번호 | SCT3030ALGC11 |
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부품 상태 | Active |
FET 유형 | N-Channel |
과학 기술 | SiCFET (Silicon Carbide) |
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 650V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 70A (Tc) |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 18V |
Vgs (th) (최대) @ Id | 5.6V @ 13.3mA |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 104nC @ 18V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1526pF @ 500V |
Vgs (최대) | +22V, -4V |
FET 기능 | - |
전력 발산 (최대) | 262W (Tc) |
Rds On (최대) @ Id, Vgs | 39 mOhm @ 27A, 18V |
작동 온도 | 175°C (TJ) |
실장 형 | Through Hole |
공급 업체 장치 패키지 | TO-247N |
패키지 / 케이스 | TO-247-3 |