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| Numero de parte | SSM3J15FV,L3F |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100mA (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 2.5V, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.7V @ 100µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9.1pF @ 3V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 150mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 Ohm @ 10mA, 4V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | VESM |
| Paquete / caja | SOT-723 |
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
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Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
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Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
En stock: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET P-CHANNEL 30V 2A 3SMD
En stock: 3000
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET P-CH 30V 1.4A UFM
En stock: 3000
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET P-CH 20V 4A UFM
En stock: 21000
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
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Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM
En stock: 24000
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE
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Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET P-CH 20V 5.5A
En stock: 12000
