Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J15FV,L3F

Numero di parte: SSM3J15FV,L3F
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET P-CH 30V 0.1A VESM
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Toshiba Semiconductor and Storage

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Parametro del prodotto

Numero di parte	SSM3J15FV,L3F
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	100mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	2.5V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.7V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	9.1pF @ 3V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 Ohm @ 10mA, 4V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	VESM
Pacchetto / caso	SOT-723