Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Array ZXMN2AM832TA

Diodes Incorporated ZXMN2AM832TA

Numero di parte
ZXMN2AM832TA
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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In stock 7500 pz
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0.11141/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte ZXMN2AM832TA
Stato parte Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.1nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 299pF @ 15V
Potenza - Max 1.7W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-VDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore 8-MLP (3x2)
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