hotenda.cn is an authorized distributor of ixys products. ixys offers on-resistance power mosfets, igbts, freds, scr and diode modules, rectifier bridges and ics.
| Numero di parte | IXFQ10N80P |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2050pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1 Ohm @ 5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P |
| Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P
Disponibile: 39
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3)
Disponibile: 0
