Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli IXFQ24N50P2

IXYS IXFQ24N50P2

Numero di parte
IXFQ24N50P2
fabbricante
IXYS
Descrizione
500V POLAR2 HIPERFETS
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
IXYS

IXYS

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Etichetta del prezzo:
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Parametro del prodotto
Numero di parte IXFQ24N50P2
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 24A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2890pF @ 25V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270 mOhm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-3P
Pacchetto / caso TO-3P-3, SC-65-3
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