Numero di parte | IXFQ22N60P3 |
---|---|
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 22A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 25V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 500W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 11A, 10V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P |
Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P
Disponibile: 39
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3)
Disponibile: 0