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| Numero di parte | PMGD8000LN,115 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 125mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 10mA, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.35nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 18.5pF @ 5V |
| Potenza - Max | 200mW |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSSOP |
fabbricante: NXP USA Inc.
Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
Disponibile: 0
