제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 PMGD8000LN,115

NXP USA Inc. PMGD8000LN,115

부품 번호
PMGD8000LN,115
제조사
NXP USA Inc.
기술
MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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제품 매개 변수
부품 번호 PMGD8000LN,115
부품 상태 Obsolete
FET 유형 2 N-Channel (Dual)
FET 기능 Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 125mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs 8 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 100µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 0.35nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 18.5pF @ 5V
전력 - 최대 200mW
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급 업체 장치 패키지 6-TSSOP
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제조사: NXP USA Inc.

기술: MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP

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