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| Número da peça | PMGD8000LN,115 |
|---|---|
| Status da Parte | Obsolete |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 30V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 125mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 10mA, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.35nC @ 4.5V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 18.5pF @ 5V |
| Power - Max | 200mW |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | 6-TSSOP |
Fabricante: NXP USA Inc.
Descrição: MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
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