Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L36FE,LM

Numero di parte: SSM6L36FE,LM
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Array

Toshiba Semiconductor and Storage

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Numero di parte	SSM6L36FE,LM
Stato parte	Active
Tipo FET	N and P-Channel
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	500mA, 330mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	630 mOhm @ 200mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.23nC @ 4V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	46pF @ 10V
Potenza - Max	150mW
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore	ES6 (1.6x1.6)