Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli SI1011X-T1-GE3

Vishay Siliconix SI1011X-T1-GE3

Numero di parte
SI1011X-T1-GE3
fabbricante
Vishay Siliconix
Descrizione
MOSFET P-CH 12V SC-89
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Vishay Corporation

Vishay Corporation

vishay intertechnology is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors and selected ics, and passive electronic components.

In stock 306448 pz
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Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte SI1011X-T1-GE3
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C -
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 1.2V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 62pF @ 6V
Vgs (massimo) ±5V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 190mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 640 mOhm @ 400mA, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SC-89-3
Pacchetto / caso SC-89, SOT-490
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