ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル SI1011X-T1-GE3

Vishay Siliconix SI1011X-T1-GE3

部品番号
SI1011X-T1-GE3
メーカー
Vishay Siliconix
説明
MOSFET P-CH 12V SC-89
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Vishay Corporation

Vishay Corporation

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製品パラメータ
部品番号 SI1011X-T1-GE3
部品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 12V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) -
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 1.2V, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id 800mV @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 4nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 62pF @ 6V
Vgs(最大) ±5V
FET機能 -
消費電力(最大) 190mW (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 640 mOhm @ 400mA, 4.5V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ SC-89-3
パッケージ/ケース SC-89, SOT-490
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