Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - FETs, MOSFETs - Single SI1011X-T1-GE3

Vishay Siliconix SI1011X-T1-GE3

Número da peça
SI1011X-T1-GE3
Fabricante
Vishay Siliconix
Descrição
MOSFET P-CH 12V SC-89
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Vishay Corporation

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Quantidade:
Parâmetro do produto
Número da peça SI1011X-T1-GE3
Status da Parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 12V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C -
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) 1.2V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 62pF @ 6V
Vgs (Max) ±5V
FET Feature -
Dissipação de energia (máx.) 190mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 640 mOhm @ 400mA, 4.5V
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores SC-89-3
Pacote / Caso SC-89, SOT-490
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