IXYS IXTY1R6N50D2

Artikelnummer: IXTY1R6N50D2
Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status: Lead free / RoHS Compliant
Familie: Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln

IXYS

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Produktparameter

Artikelnummer	IXTY1R6N50D2
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	500V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	1.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	23.7nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	645pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	Depletion Mode
Verlustleistung (Max)	100W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	2.3 Ohm @ 800mA, 0V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	TO-252, (D-Pak)
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63