ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル IXTY1R6N50D2

IXYS IXTY1R6N50D2

部品番号
IXTY1R6N50D2
メーカー
IXYS
説明
MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
IXYS

IXYS

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在庫数量で数量個
  • 参考価格

    (米ドル)
  • 1 pcs

    1.26000/pcs
  • 10 pcs

    1.13950/pcs
  • 100 pcs

    0.91575/pcs
  • 500 pcs

    0.71225/pcs
  • 1,000 pcs

    0.59015/pcs
合計:1.26000/pcs Unit Price:
1.26000/pcs
目標価格:
量:
製品パラメータ
部品番号 IXTY1R6N50D2
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 500V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 1.6A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) -
Vgs(th)(Max)@ Id -
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 23.7nC @ 5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 645pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 Depletion Mode
消費電力(最大) 100W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 2.3 Ohm @ 800mA, 0V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ TO-252, (D-Pak)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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