IXYS IXTY1R6N50D2

Numero di parte: IXTY1R6N50D2
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Singoli

IXYS

hotenda.cn is an authorized distributor of ixys products. ixys offers on-resistance power mosfets, igbts, freds, scr and diode modules, rectifier bridges and ics.

In stock 2460 pz

Prezzo di riferimento
(In dollari USA)
1 pcs
1.26000/pcs
10 pcs
1.13950/pcs
100 pcs
0.91575/pcs
500 pcs
0.71225/pcs
1,000 pcs
0.59015/pcs

Totale:1.26000/pcs

Unit Price:

1.26000/pcs

Etichetta del prezzo:

Quantità:

Parametro del prodotto

Numero di parte	IXTY1R6N50D2
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1.6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23.7nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	645pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	Depletion Mode
Dissipazione di potenza (max)	100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.3 Ohm @ 800mA, 0V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-252, (D-Pak)
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63