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| Numero de parte | IXTY1R6N50D2 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 500V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.6A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 23.7nC @ 5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 645pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | Depletion Mode |
| Disipación de potencia (Máx) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 Ohm @ 800mA, 0V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-252, (D-Pak) |
| Paquete / caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Fabricante: IXYS
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA
En stock: 699
Fabricante: IXYS
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK
En stock: 1957
