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| Artikelnummer | BSD816SNH6327XTSA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 1.4A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.8V, 2.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 0.95V @ 3.7µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6nC @ 2.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 1.4A, 2.5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-SOT363-6 |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363
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