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| Numero di parte | BSD816SNH6327XTSA1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.4A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 2.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 0.95V @ 3.7µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6nC @ 2.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 1.4A, 2.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT363-6 |
| Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363
Disponibile: 0
