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| Numéro d'article | BSD816SNH6327XTSA1 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 20V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 1.4A (Ta) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 2.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 0.95V @ 3.7µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6nC @ 2.5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 1.4A, 2.5V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | PG-SOT363-6 |
| Paquet / cas | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363
En stock: 0
Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363
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