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| Numero di parte | IXFQ50N60P3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 94nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6300pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1040W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 145 mOhm @ 500mA, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P |
| Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P
Disponibile: 39
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3)
Disponibile: 0
