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| 部品番号 | GA10SICP12-263 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | - |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 1200V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 25A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | - |
| Vgs（th）（Max）@ Id | - |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1403pF @ 800V |
| Vgs（最大） | - |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 170W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 100 mOhm @ 10A |
| 動作温度 | 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK (7-Lead) |
| パッケージ/ケース | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
メーカー: GeneSiC Semiconductor
説明: SIC CO-PACK SJT/RECT 10A 1.2KV
在庫あり: 0
メーカー: GeneSiC Semiconductor
説明: TRANS SJT 1200V 25A TO263-7
在庫あり: 372
