제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 DMHC10H170SFJ-13

Diodes Incorporated DMHC10H170SFJ-13

부품 번호
DMHC10H170SFJ-13
제조사
Diodes Incorporated
기술
MOSFET 2N/2P-CH 100V DFN5045-12
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이
Diodes Incorporated

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제품 매개 변수
부품 번호 DMHC10H170SFJ-13
부품 상태 Active
FET 유형 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET 기능 Standard
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.9A, 2.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs 160 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 9.7nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1167pF @ 25V
전력 - 최대 2.1W
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 12-VDFN Exposed Pad
공급 업체 장치 패키지 V-DFN5045-12
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제조사: Diodes Incorporated

기술: MOSFET 2N/2P-CH 100V DFN5045-12

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